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仙童SGH80N60UFD原装进口批发

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:SGH80N60UFD 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 集电极允许电流ICM:80 封装形式:直插型 应用范围:带阻尼

英飞凌IHW15N120 IGBT单管

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW15N120R2 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型,增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插 集电极允许电流ICM:15 封装形式:直插型 应用范围:带阻尼

英飞凌IGBT IKW75N60T现货，原装全新

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW75N60T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:75 截止频率fT:0.05

供应英飞凌IKA06N60T(K06T60)

应用范围:功率 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKA06N60T 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:6 极性:NPN型 结构:点接触型 封装材料:金属封装 加工定制:否

英飞凌原装IKW20N60T K20T60单管

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW20N60T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 集电极允许电流ICM:20 封装形式:直插型 应用范围:功率

英飞凌K08T120原装现货IKW08T120

类型:电源模块 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW08T120 电源电流:8 电源电压:1200 功率:30A 针脚数:3 用途:遥控 封装:TOP-247 批号:2013+ 集电极允许电流ICM:8 封装形式:直插型 应用范围:功率

原装英飞凌长期现货IHW20N120R3

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW20N120R3 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型,增强型 用途:HF/高频(射频)放大,HF/高频(射频)放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道,N-FET硅N沟道 集电极允许电流ICM:20 封装形式:直插型 应用范围:功率

长期供英飞凌原装IHW30N120R2

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW30N120R2 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:30 应用范围:功率

供应英飞凌IHW30N160R2原装全新

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW30N160R2 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:30 应用范围:功率

英飞凌全新IHW20N120R2(h20r1203)

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW20N120R3 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型,增强型 用途:HF/高频(射频)放大,HF/高频(射频)放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道,N-FET硅N沟道 集电极允许电流ICM:20 封装形式:直插型 应用范围:功率

供原装全新IKW25T120

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW25T120 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型,增强型 用途:L/功率放大,L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极,IGBT绝缘栅比极 集电极允许电流ICM:25 封装形式:直插型 应用范围:功率

供应FGH40N60SFD 仙童原装批发

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FGH40N60SFD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 集电极允许电流ICM:40 封装形式:直插型 应用范围:功率

仙童G60N100BNTD原装进口批发

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:G60N100BNTD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 集电极允许电流ICM:60 封装形式:直插型 应用范围:功率

仙童原装FGA25N120ANTD 长期现货

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FGA25N120ANTD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:25 应用范围:功率

仙童现货批发原装FGA15N120ANTD

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FGA15N120ANTD 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 集电极耗散功率PCM:186 封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:45

原装现货英飞凌IGBT SKW30N60HS低压高频

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SKW30N60HS 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型,增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插,P-DIT/塑料双列直插 集电极允许电流ICM:41 封装形式:直插型 应用范围:功率

供应英飞凌IGBT K25T120现货批发

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW25T120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 集电极允许电流ICM:25 封装形式:直插型 截止频率fT:0.05

现货英飞凌IGBT IKW40T120原装K40T120

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW40T120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 集电极允许电流ICM:40 封装形式:直插型 截止频率fT:0.05

供应IKA15N60T英飞凌600V低饱和IGBT

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKA15N60T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 集电极允许电流ICM:15 封装形式:直插型 应用范围:功率

供应英飞凌IGBT K25T120原装新货批发

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW25T120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 集电极允许电流ICM:25 封装形式:直插型 截止频率fT:0.05