深圳市富利通电子有限公司

供应SSS4N60B

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:SSS4N60B 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 类型:其他IC 开启电压:600 夹断电压:600

仙童原装特价SGH80N60UFD

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:SGH80N60UFDTU 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 漏极电流:80 低频噪声系数:50 极间电容:2155

供应英飞凌MOS 11N80C3电控系统热销

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPP11N80C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:0.25 跨导:10 极间电容:50

10N60 IGBT原装进口

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:10N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 开启电压:600 夹断电压:600

批发英飞凌原装SKW30N60HS(K30N60HS)

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SKW30N60HS 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:50

原装SPW47N60C3英飞凌CoolMOS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPW47N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 漏极电流:15 跨导:10 极间电容:50

英飞凌COOLMOS原装 SPW47N60C3

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPW47N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600 夹断电压:600

供应H20R1203原装现货批发

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW20N120R3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:1200 夹断电压:1200 极间电容:47

现货SPW20N60S5

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPW20N60S5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:50

英飞凌原装现货SPW47N60CFD

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPW47N60CFD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:77

原装现货K20T60 英飞凌IGBT单管

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW20N60T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:FM/调频 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:50

供应英飞凌MOS 11N60

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:11N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:50

供应英飞凌原装全新IHW40T120

类型:电源模块 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW40T120 封装:TO247 批号:2012 漏极电流:0.4 封装形式:TO-3P 应用范围:功率

供应SPD07N60C3 MOS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPD07N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:16

IHW30N160R2 IGBT单管

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW30N160R2 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道,N沟道 导电方式:增强型,增强型 用途:D/变频换流,D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极,IGBT绝缘栅比极 跨导:500 漏极电流:0.15 极间电容:2740

批发FGL60N100BNTD仙童原装

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FGL60N100BNTD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 漏极电流:60 开启电压:800 夹断电压:1200

英飞凌IGBT K25T1202 IKW25N120T2

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW25N120T2 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:1200 夹断电压:1200 极间电容:50

供应07N60C3 INFINEON原装

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPD07N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型

供应变频器配套IGBT，MOS管

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IKW25T120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 漏极电流:30 跨导:20 极间电容:50

供应仙童IGBT SGH15N60RUFD

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:SGH15N60RUFD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:600 夹断电压:600 极间电容:50